之二十二失败概率对应的典型缺陷！
“调整分子束入射角度，在拐角处增加一个补偿扫描周期！”
吴启对设备组开口，“璇玑的方案里提到过这个补偿机制，我们没有把它整合到控制程序里，现在加上。”
补偿程序写好之后，第二次合成试验跑了下去！
这次没有错位警报，分子层从头堆到尾，实时监测系统的精度读数全程在允许范围内！
合成结束，材料样品从腔里取出来，送到测试台上！
测试台的能量通量模拟装置是专门为这种材料改造的。
模拟装置把真空衰变引擎的输出波形按比例缩小，打在材料样品上，监测样品的结构响应。
第一次加载，能量通量从低到高逐步攀升，材料样品的温度在上升，但没有出现结构变形。
第二次加载，通量直接跳到设计上限，材料样品撑住了，分子排列保持稳定，错位过热和结构疲劳都没出现！