拿不着啊。我啊，今天就是给你出出主意，好让你啊以后的几十年能过得问心无愧。”
“好，好，你说吧，只要你的主意有用，我就是去求爷爷告奶奶，去作揖下跪，我都去把钱弄来。”
“用不着，你们那么多校友呢，你看燕邮募集来多少钱了啊，你们这体量，不可能募集不来一些资金啊，先启动了再说呗，后面有国家有银行呢。要打破这个怪圈，只有两个办法，一个是国家死命砸钱根本不管怎么亏，亏一年能亏出去个5000亿吗？亏不了。这样集中力量办大事，发动能发动的一切力量，不按套路出牌，超速发展，一举追上他们。第二个办法就是等，等领先者遇到瓶颈了，他们有个坎儿很难迈过去，而你又咬紧牙关砸钱亏钱追，肯定能追上。”
“你说得轻巧，国家现在哪儿哪儿都是窟窿，哪儿哪儿都要发展，半导体这个行业不是靠投入就能投出来的。你第二个办法更不靠谱。”
“第一个办法要有力度，最大的力度。第二个办法还真就靠谱，他们马上就要碰到坎儿了。业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点，而157nm将成为主流技术。然而，157nm光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。这是由于绝大多数材料都会强烈地吸收157nm的光波，所以这个就是他们的坎儿。”
“你仔细和我说说。”
“现在国外几家大厂都是使用DUV，也就是深紫外光，通过氟化氪KrF 准分子激光来产生波长248 nm的光，这种光刻机是现在的主流，他们实验室里现在已经基本研发完了通过氟化氩ArF准分子激光来产生波长193 nm光波的下一代光刻机，193nm光刻机没问题。但用F2准分子激光产生波长157nm的光就是个大坑了，他们过不去了，技术解决不了。瓶颈出现了，咱们追赶的机会来了。”
“那他们的解决办法是什么？”
“研发EUV光刻机，也就是极紫外光刻技术。极紫外光刻使用波长在13.5nm的软X射线来光刻，相当于用了一把更小、更锋利的‘刀’。极紫外光刻是5nm等更先进制程的必需工艺。但因为EUV不能穿透透镜，只能用特殊的反射镜来对焦，这样EUV的能量损失会很大，需要更长的曝光时间，会严重影响生产速度，这也就是EUV光刻机难以大规模量产的原因。因此我确信EUV光刻技术15年内完成不了原型机，20年内量产无望。”
“你确定？”
“我十分确定一定
…。。