环加持，也算是别有风味了。
礼下于人必有所求，这辆车坐起来代价也是不小。
现在虽然不是10年、20年前各地官员疯狂追逐投资商的时代，但只要不是那些落后、过剩、高污、高耗能项目，还是能够受到一番礼遇的。要是雇工再多些、投资再大些、国际影响再高些，引来好几个城市的疯狂争抢也是妥妥的。
像是富土康内地新厂项目就因为雇工多、出口额高而被好几个地方争抢，动辄投资几十亿美元、雇佣大量高素质工人，能有效拉动地区房价的半导体制造业，各方疯抢的力度只会更大。
所以蜂心半导体这边刚刚做出决定，打算引进先进设备扩建旗下实验工厂，立即就有各路人马杀将过来，打电话发邮件、上门拜访，摆事实讲道理拉关系晒补贴，手段齐出只为把这家工厂拉到自家地盘上。虽然和专业工厂相比，这家试验工厂的产能和投资总额都不算高，可总投资上十亿还是没有问题的，毕竟只一台先进光刻机就价值上千万美元了，蜂心还打算上碳管试验项目，总投入根本小不下来。
要不是类似EUV极紫外光刻机这种单台一亿美元的奢侈品老美不让asml公司往国内卖，其他先进配套设备大致也是如此，导致想花钱也没地方花，蜜蜂的设备采购费用也不至于这么“便宜”。
光刻机的工作能力决定了芯片的工艺制程，而作为“雕刻”芯片电路的那把“刀”，蚀刻光源的波长严重影响它的加工能力。
目前国际上主流的光刻机普遍使用193纳米波长的紫外线光源，其之所以能够加工65、45甚至14纳米的硅晶圆，却是因为使用了折射率更好的镜头，并且把硅晶圆浸泡在高折射率的浸没液体里面，因此称之为浸没式光刻系统。
而下一代光刻机则使用波长13.5纳米的极紫外线作为工作光源，有望将半导体制程推进到10纳米以下，唯一的问题是波长越小、光子的能量就越大，相应的穿透作用、电离作用也就越明显，像是有用又有害的X光就是波长小于10纳米的电磁波。
EUV是如此的高能，以至于光源造出来了，配套的掩膜、覆膜材料却没能跟上，导致下一代光刻始终无法实用化。
虽然Intel、IBM还有AMD等传统CPU巨头，早在几年前就号称要进军10纳米，但因为EUV“太给力”到现在还都没有实现，依然在14纳米制程打转，结果被三星和台积电弯道追车赶了上来。
不过江湖传闻，他们的14/16纳米
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